STMicroelectronics STGP5H60DF
$ 0.654
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +91.80%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STGP5H60DF herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie STMicroelectronics STGP5H60DF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-05-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTGF7NC60HD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
onsemiSGS5N60RUFDTU
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGP5H60DF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S / IGBT Trench Field Stop 600 V 10 A 88 W Through Hole TO-220
H Series 600 V 10 A Flange Mount Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-220
Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 88W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, SINGLE, 600V, 10A, TO-220AB; DC Collector Current: 10A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.5V; Power Dissipation Pd: 88W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-220AB; No. of Pi
Igbt, Single, 600V, 10A, To-220Ab; Continuous Collector Current:10A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.5V; Power Dissipation:88W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGP5H60DF
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +91.80%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.95 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Max Collector Current10 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation88 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time134.5 ns
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STGP5H60DF herunter.