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Verwandte Teile
onsemiSGS5N60RUFDTU
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
onsemiSGS6N60UFDTU
Res Thick Film 0402 6.49K Ohm 1% 0.063W(1/16W) ±100ppm/C Pad SMD Automotive T/R
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi SGP13N60UFTU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Tube Through Hole N-CHANNEL SINGLE IGBT Transistor 2.6V @ 15V 6.5A 13A 60W 20ns/70ns
Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, TO-220; DC Collector Current: 13A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.6V; Power Dissipation Pd: 60W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pins: 3Pins; Operating Tem
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Current Rating6.5 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time280 ns
Max Collector Current13 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation60 W
Voltage Rating (DC)600 V
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