Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | FQPF10N20 | 16 | 1d | |||||||||
| Microchip USA | FQPF10N20 | 370 | 3500 | Tray | 7d | |||||||
| Component Stockers USA | FQPF10N20 | 17 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-FQPF10N20 | 89.000 | 115 | 4h | ||||||||
| Worldway Electronics | FQPF10N20 | 28.686 | 7 | Tube | 3h |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQPF10N20, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
200V N-Channel MOSFET | MOSFET N-CH 200V 6.8A TO-220F
Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET, N, TO-220F; Transistor type:MOSFET; Current, Id cont:6.8A; Resistance, Rds on:0.36R; Case style:TO-220F; Current, Idm pulse:27.2A; Pins, No. of:3; Power dissipation:40W; Power, Pd:40W; Transistor polarity:N; Voltage, Vds RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.8 A
Current Rating10 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance360 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance670 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation40 W
Rds On Max360 mΩ
Rise Time90 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Datenblätter und Dokumente
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