onsemi FQPF630
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQPF630, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 200 V 400 mO 25 nC Flange Mount QFET Mosfet - TO-220F
Trans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
N-Channel QFET® MOSFET 200V, 6.3A, 400mΩ
Transistor, mosfet, n-Channel,200V V(Br)Dss,6.3A I(D),to-220Ab Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQPF630
200 V, QFET N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts..
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.3 A
Current Rating6.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time64 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance550 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation38 W
Rds On Max400 mΩ
Rise Time75 ns
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height9.19 mm
Length10.16 mm
Width4.7 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen