STMicroelectronics STFI4N62K3
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-05-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STFI4N62K3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 620 V, 1.7 Ohm typ., 3.8 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) I2PAKFP Tube
Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 620V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-281
25W(Tc) 30V 4.5V@ 50µA 22nC@ 10 V 1individualNChannel 620V 2Ω@ 1.9A,10V 3.8A 550pF@50V I2PAKFP Through hole mounting 10.85mm(height)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage620 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance550 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage620 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max2 Ω
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Datenblätter und Dokumente
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