onsemi FQB3N40TM
$ 0.444
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FQB3N40TM | 1.490 | 701 | |||||||||
| Rochester Electronics | FQB3N40TM | 1.490 | 11h | |||||||||
| Win Source | WS-FQB3N40TM | 6.000 | 240 | 12h | ||||||||
| Worldway Electronics | FQB3N40TM | 11.999 | 7 | Tape & Reel | 11h | |||||||
| QUARKTWIN TECHNOLOGY LTD | FQB3N40TM | Kontakt | >1wk |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQB3N40TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 400 V 2.5A (Tc) 3.13W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 400V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Current Rating2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance3.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance230 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max3.4 Ω
Rise Time40 ns
Turn-Off Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)400 V
Datenblätter und Dokumente
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