Diodes Inc. ZXTN618MATA
$ 0.238
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | ZXTN618MATA | 0 | 3K | 6h | ||||||||
| Avnet | ZXTN618MATA | 0 | 3K | 21h | ||||||||
| Future Electronics | ZXTN618MATA | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | ZXTN618MATA | 0 | 3K | |||||||||
| Microchip USA | ZXTN618MATA | 172 | 3K | Tray | 11h |
Bestandsverlauf
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Verwandte Teile
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Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Surface Mount
Diodes Inc.ZXTP722MATA
TRANS PNP 70V 2.5A DFN2020B-3 / Bipolar (BJT) Transistor PNP 70 V 2.5 A 180MHz 3 W Surface Mount DFN2020B-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXTN618MATA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Small Signal Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ZXTN618MA Series 20 V 4.5 A NPN Low Saturation Transistor - DFN-3
20V 1.5W 180@6A,2V 4.5A NPN DFN-3(2x2) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Ss Low Sat Transistor U-Dfn2020-3 T&r 3K Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXTN618MATA
270mV@ 125mA,4.5A NPN 2.45W 7V 25nA 40V 20V 4.5A DFN-2020B-3 2mm*2mm*600¦Ìm
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN EP
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage20 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)20 V
Continuous Collector Current5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency140 MHz
Gain Bandwidth Product140 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage20 V
Max Collector Current4.5 A
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.5 W
Transition Frequency140 MHz
Dimensions
Height2.07 mm
Length2.07 mm
Width580 µm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen