Diodes Inc. ZXTP717MATA
$ 0.289
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZXTP717MATA | 2.490 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | ZXTP717MATA | 3.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | ZXTP717MATADICT-ND | 3.407 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | ZXTP717MATA | 0 | 3K | 14h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | ZXTP717MATA | 0 | 25 | Bulk | 4h |
Bestandsverlauf
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXTN619MATA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Surface Mount
Diodes Inc.ZXTP722MATA
TRANS PNP 70V 2.5A DFN2020B-3 / Bipolar (BJT) Transistor PNP 70 V 2.5 A 180MHz 3 W Surface Mount DFN2020B-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXTP717MATA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
ZXTP717MA Series 12 V 4 A 3 W PNP Low Saturation Switching Transistor - DFN-3
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 12V 4.5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R / TRANS PNP 12V 4A 3-DFN
Trans, Pnp, 12V, 4A, 150Deg C, 1.5W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXTP717MATA
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN EP
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Saturation Voltage-310 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Continuous Collector Current-4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-7.5 V
Frequency110 MHz
Gain Bandwidth Product110 MHz
hFE Min45
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current4 A
Max Frequency110 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation2.45 W
Transition Frequency110 MHz
Dimensions
Height580 µm
Length2.08 mm
Width2.075 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen