Diodes Inc. ZXTN620MATA
$ 0.303
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | ZXTN620MATA | 0 | 1 | 14h | ||||||||
| Newark | ZXTN620MATA | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | ZXTN620MATA | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | ZXTN620MATA | 0 | 3K | 1d | ||||||||
| Arrow Electronics | ZXTN620MATA | 0 | 3K |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXTN619MATA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Surface Mount
Diodes Inc.ZXTP722MATA
TRANS PNP 70V 2.5A DFN2020B-3 / Bipolar (BJT) Transistor PNP 70 V 2.5 A 180MHz 3 W Surface Mount DFN2020B-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXTN620MATA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Surface Mount
Small Signal Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NPN 80 V 3.5 A 1.5 W Surface Mount Low Saturation Transistor - DFN-3
325mV@ 300mA,3.5A NPN 2.45W 7V 25nA 100V 80V 3.5A DFN-2020B-3 2mm*2mm*600¦Ìm
TRANSISTOR NPN ZXTN620MA-TRANSISTOR BJT-
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN EP
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage340 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Continuous Collector Current3.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency160 MHz
Gain Bandwidth Product160 MHz
hFE Min20
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current3.5 A
Max Frequency160 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation2.45 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency160 MHz
Dimensions
Height580 µm
Length2.08 mm
Width2.075 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen