Diodes Inc. ZXMP10A17KTC
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-06-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXMN10A11KTC
ZXMN10A11K Series N-Channel 100 V 0.35 Ohm Power MOSFET Surface Mount- TO-252-3
Diodes Inc.ZXMP10A16KTC
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 3 A, 235 Milliohms, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
InfineonIRFR120NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.21Ohm;ID 9.4A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
InfineonIRFR9120NTRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.48Ohm;ID -6.6A;D-Pak (TO-252AA);PD 40W
InfineonIRFR9120NPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.48Ohm;ID -6.6A;D-Pak (TO-252AA);PD 40W
onsemiSFT1443-TL-W
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXMP10A17KTC, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, P-Ch, 100V, 2.4A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMP10A17KTC
Trans MOSFET P-CH 100V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
场效应管, MOSFET, P沟道, 100V, 2.4A, TO-252;
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.4 A
Drain to Source Resistance350 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance424 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation10.2 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Rds On Max350 mΩ
Rise Time3.5 ns
Turn-Off Delay Time13.4 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.8 mm
Width6.2 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen