Diodes Inc. ZXMN3B14FTA
$ 0.339
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZXMN3B14FTA | 911 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZXMN3B14FTA | 0 | 1 | 21h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | ZXMN3B14FTA | 0 | 10 | Bulk | 20h | |||||||
| Future Electronics | ZXMN3B14FTA | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | ZXMN3B14FTA | 0 | 3K | 10h |
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Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXMN3A14FTA
ZXMN3A14 Series 30 V 0.065 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
Diodes Inc.DMP3160L-7
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXMN3B14FTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 30 V 0.08 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOT-23
MOSFET, N-CH, 30V, 2.9A, SOT-23 ROHS COMPLIANT: YES
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
90004001,场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 2.9A, 150度 C, 1W;
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DiodesZetex NMOS, Vds=30 V, 3.5 A, SOT-23, , 3
MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.9 A
Current Rating3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance568 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max80 mΩ
Resistance80 mΩ
Rise Time4.9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time17.3 ns
Turn-On Delay Time3.6 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.02 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen