Diodes Inc. ZXMN2A04DN8TA
$ 0.986
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZXMN2A04DN8TA | 400 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | ZXMN2A04DN8CT-ND | 506 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | ZXMN2A04DN8TA | 0 | 500 | Tape & Reel | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | ZXMN2A04DN8TA | 0 | 25 | Bulk | 4h | |||||||
| Avnet | ZXMN2A04DN8TA | 0 | 500 | 6d |
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Offizielles DatenblattVor 15 Jahren
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-08-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySI9926CDY-T1-GE3
Transistor: 2xN-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; 0.018ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SO8
Diodes Inc.DMN2028USS-13
1.56W(Ta) 8V 1.3V@ 250¦ÌA 11.6nC@ 4.5 V 1N 20V 20m¦¸@ 9.4A,4.5V 7.3A 1nF@10V SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXMN2A04DN8TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R
Dual N-Channel 20 V 0.025 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOIC-8
Mosfet, Dual, N-Ch, 20V, 7.7A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMN2A04DN8TA
2.1W 12V 700mV@ 250¦ÌA (Min) 22.1nC@ 5V 2N 20V 25m¦¸@ 5.9A,4.5V 5.9A 1.88nF@10V SOIC-8 5mm*4mm*1.5mm
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 20V, 7.7A;
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.9 A
Current Rating6 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time30.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.88 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Rds On Max25 mΩ
Resistance25 mΩ
Rise Time14.8 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time50.5 ns
Turn-On Delay Time7.9 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Offizielles DatenblattVor 15 Jahren
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen