Diodes Inc. ZXM61P02FTA
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Production
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | ZXM61P02FTA | 37 | 37 | |||||||||
| Verical | ZXM61P02FTA | 30.000 | 3K | |||||||||
| Future Electronics | ZXM61P02FTA | 84.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | ZXM61P02FTA | 6.000 | 3K | 16h | ||||||||
| TME | ZXM61P02FTA | 85 | 1 | 1h |
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Stock
5,234,178
90,856
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
-20 V
-20 V
Continuous Drain Current (ID)
900 mA
900 mA
Threshold Voltage
-
-700 mV
Rds On Max
600 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
-
Power Dissipation
625 mW
625 mW
Input Capacitance
150 pF
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-07-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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ZXM61N02F 20 V 0.18 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23
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Power MOSFET, Low Voltage, N Channel, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Surface Mount
InfineonBSS214NH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 1.5A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSS214NH6327XTSA1
InfineonBSS205NH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 2.5A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSS205NH6327XTSA1
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXM61P02FTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
ZXM61P02F Series 20V 0.6 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET-SOT-23
Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 900 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Surface Mount
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P SOT-23 REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:0.9A; Resistance, Rds On:0.6ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.7V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:4.9A; No. of Pins:3; Power, Pd:625W; Power, Ptot:625W; Quantity, Reel:3000; Resistance, Rds on Max:0.6ohm; SMD Marking:P02; Temperature, Current:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Rds Measurement:4.5V; Voltage, Vds Max:20V; Voltage, Vgs th Min:-0.7V; Width, Tape:8mm
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)900 mA
Current Rating-800 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Dual Supply Voltage-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance150 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation806 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-700 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation625 mW
Rds On Max600 mΩ
Resistance600 mΩ
Rise Time6.7 ns
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Turn-Off Delay Time11.2 ns
Turn-On Delay Time2.9 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen