Diodes Inc. ZXMN2A01FTA

Power MOSFET, Low Voltage, N Channel, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Surface Mount
$ 0.169
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Diodes Inc. ZXMN2A01FTA herunter.

Diodes Inc SCT

Technical Drawing5 SeitenVor 9 Jahren

Newark

IHS

Future Electronics

iiiC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-4.12%

CAD-Modelle

Laden Sie Diodes Inc. ZXMN2A01FTA Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
Fußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

onsemiFDC6310P
MOSFET Transistor, Dual P Channel, -2.2 A, -20 V, 0.1 ohm, -4.5 V, -1 V
Diodes Inc.ZXM61N02FTA
ZXM61N02F 20 V 0.18 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23
Mosfet, N-Ch, 20V, 2.5A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSS205NH6327XTSA1
onsemiFDN335N
N-Channel PowerTrench™ MOSFET, 2.5V Specified, 20V, 1.7A, 70mΩ
VISHAY SI2302DDS-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.041ohm; 0.5W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23; AEC-Q100

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. ZXMN2A01FTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, Low Voltage, N Channel, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Surface Mount
ZXMN2A01 Series 20 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N CHANNEL MOSFET, 20V, 2.2A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:2.2A; Drain Source Voltage, Vds:20V; On Resistance, Rds(on):0.12ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:700mV ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.2A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):120mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:700mV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:2.2A; Current Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:1; On State Resistance Max:120mohm; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:625mW; Power Dissipation Pd:806mW; Power Dissipation Ptot Max:625mW; Pulse Current Idm:8A; SMD Marking:7N2; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:12V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage Vgs th Min:700mV

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated