Diodes Inc. VN10LFTA

Name: Diodes Inc. VN10LFTA
Brand: Diodes Inc.
SKU: VN10LFTA

VN10LF Series 60 V 5 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23

$ 0.298

Production

Herstellerseite Datenblatt

Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical		VN10LFTA	3.000	3K						0,182
Arrow Electronics		VN10LFTA	3.000	3K						0,183
Future Electronics	2	VN10LFTA	12.000	3K	Tape & Reel					0,164
DigiKey	3	VN10LFCT-ND	5.684	1	Cut Tape	1,050	0,655	0,427	0,297	0,297
TME	2	VN10LFTA	1.275	1		0,683	0,424	0,292	0,208	0,178	22h

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IHS

Datasheet1 SeiteVor 0 Jahren

Farnell

TME

Diodes Inc SCT

Future Electronics

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Diodes Inc.VN10LFTA

Diodes Inc.VN10LF

Price @ 1000

$ 0.298

$ 0.484

Stock

1,649,065

58,282

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

150 mA

Threshold Voltage

2.5 V

Rds On Max

5 Ω

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

330 mW

Input Capacitance

60 pF

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1992-02-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. VN10LFTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

VN10LF Series 60 V 5 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Verical

Power MOSFET, N Channel, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Surface Mount

Avnet

MOSFET, N SOT-23 REEL 3K; Transistor Polarity:N; Max Current Id:150mA; Max Voltage Vds:60V; On State Resistance:5ohm; Rds Measurement Voltage:10V; Max Voltage Vgs:20V; Power Dissipation:0.33W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; Case Style:SOT-23; Cont Current Id:0.15A; Current Temperature:25°C; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; External Width:3.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Max Power Dissipation Ptot:0.33W; Max Voltage Vgs th:2.5V; No. of Transistors:1; Power Dissipation Pd:0.33W; Pulse Current Idm:3A; Reel Quantity:3000; SMD Marking:MY; Tape Width:8mm; Termination Type:SMD; Transistor Type:MOSFET; Typ Voltage Vds:60V; Typ Voltage Vgs th:2.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Farnell

Bilder

RS APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Diodes Incorporated
DIODE
DII
DIO
DIODE INC
DC COMPONENTS
DIOD
YENYO
Diodes Zetex
MICRO COM
MICRO ELECTRONIC INS
Diodes Inc / Zetex
DIODE INCORPORATED
DIODES ZET
DIODSE
DINC
Diodes Inc Inc
DIOINC
FORMOSA MS
DIODES INC(RoHS)
ZETEX (DIODES INC)
DIODES INC/VISHAY
Diodes Incorporation
ZETEXDIODES
DIODES INC/VISH
Pericom
Diodes Incorporated

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight7.994566 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)150 mA

Current Rating150 mA

Drain to Source Breakdown Voltage60 V

Drain to Source Resistance5 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Dual Supply Voltage60 V

Element ConfigurationSingle

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance60 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation250 mW

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs2.5 V

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingCut Tape

Power Dissipation330 mW

Rds On Max5 Ω

Resistance5 Ω

Schedule B8541210080

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage2.5 V

Voltage Rating (DC)60 V

Dimensions

Height1 mm

Length3.05 mm

Width3.05 mm

Datenblätter und Dokumente

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