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onsemi NDS0605

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -60V, -0.18A, 5Ω
$ 0.094
Production
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Future Electronics
3
NDS0605
456.000
3K
Tape & Reel
USD
0,110
Avnet
2
NDS0605
6.774
1
USD
0,372
0,372
0,143
0,094
0,092
16h
Newark
3
NDS0605
6.774
1
Cut Tape
USD
0,372
0,372
0,143
0,094
0,090
Master Electronics
NDS0605
69.000
3K
USD
0,071
Onlinecomponents.com
NDS0605
69.000
3K
Bulk
USD
0,071

Datenblätter und Dokumente

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Farnell

Datasheet5 SeitenVor 23 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 17 Jahren

IHS

Upverter

onsemi

element14 APAC

Bestandsverlauf

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-15.82%
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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Verwandte Teile

InfineonBSS7728NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 N-Channel 60 V 200mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Details
InfineonBSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 N-Channel 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Details
InfineonSN7002NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 N-Channel 60 V 200mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Details
onsemiBSS138
Trans MOSFET N Channel 50 Volt 0.22A 3-Pin SOT-23 Tape and Reel
Details
onsemiNDS0610
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -60V, -0.12A, 10Ω
Details
Diodes Inc.BSS138-7-F
N-Channel 50 V 3.5 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Transistor SOT-23-3
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NDS0605, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -60V, -0.18A, 5Ω
onsemi
P-Channel 60 V 5 Ohm Surface Mount Field Effect Transistor - SOT-23
Future Electronics
onsemi PChannel EnhancedMOSTube, Vds=60 V, 180 mA, SOT-23encapsulation, surface mount, 3Pin
UnikeyIC
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
ComSIT Distribution GmbH
This P-Channel enhancement mode power field effect transistor is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. The NDS0605 can be used, with a minimum of effort, in most applications requiring up to 0.18A DC and can deliver pulsed currents up to 1A. This product is particularly suited to low voltage applications requiring a low current high side switch.
Fairchild Semiconductor

Bilder

RS
Newark
TME
element14 APAC
Farnell
Future Electronics
Newark
TME
Jameco (USA)
iiiC
Rochester Electronics
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • ON SEMICOND
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • onsemi / Fairchild
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • NDS 0605
  • NDS-0605
  • NDS0605.