onsemi NDS0605

Name: onsemi NDS0605
Brand: onsemi
SKU: NDS0605

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -60V, -0.18A, 5Ω

$ 0.092

Production

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Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	58K9477	6.774	1		0,340	0,340	0,130	0,096	0,096	2d
Newark	2	NDS0605	6.774	1	Cut Tape	0,340	0,340	0,130	0,096	0,096
Verical	4	NDS0605	60.000	3K						0,042
Arrow Electronics	3	NDS0605	18.850	1		0,312	0,186	0,106	0,083	0,068
Future Electronics	2	NDS0605	87.000	3K	Tape & Reel					0,060

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Farnell

Datasheet5 SeitenVor 23 Jahren

Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Datasheet8 SeitenVor 17 Jahren

IHS

Upverter

onsemi

element14 APAC

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1995-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NDS0605, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -60V, -0.18A, 5Ω

onsemi

P-Channel 60 V 5 Ohm Surface Mount Field Effect Transistor - SOT-23

Future Electronics

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

ComSIT Distribution GmbH

This P-Channel enhancement mode power field effect transistor is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. The NDS0605 can be used, with a minimum of effort, in most applications requiring up to 0.18A DC and can deliver pulsed currents up to 1A. This product is particularly suited to low voltage applications requiring a low current high side switch.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Rochester Electronics

iiiC

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

NDS 0605
NDS-0605
NDS0605.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight30 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)180 mA

Current Rating-180 mA

Drain to Source Breakdown Voltage-60 V

Drain to Source Resistance5 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V

Dual Supply Voltage-60 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time6.3 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance79 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation360 mW

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs-1.7 V

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingCut Tape

Power Dissipation360 mW

Rds On Max5 Ω

Resistance5 Ω

Rise Time6.3 ns

Schedule B8541210080

Threshold Voltage-1.7 V

Turn-Off Delay Time10 ns

Turn-On Delay Time2.5 ns

Voltage Rating (DC)-60 V

Dimensions

Height1.11 mm

Length2.92 mm

Width3.05 mm