Diodes Inc. FZT853TA

Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
$ 0.456
Production
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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsFZT853TA599167
VericalFZT853TA599167
Future Electronics
2
FZT853TA1.0001KTape & Reel
TME
2
FZT853TA2411
11h
DigiKey
2
FZT853CT-ND78.8611Cut Tape

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet7 SeitenVor 9 Jahren
Datasheet5 SeitenVor 0 Jahren

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RS (Formerly Allied Electronics)

Diodes Inc SCT

Future Electronics

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
Diodes Inc.FZT853TA
Diodes Inc.FZT853
Price @ 1000
$ 0.456
$ 0.628
Stock
1,281,043
128,750
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-223
SOT-223
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
Max Collector Current
6 A
6 A
Transition Frequency
130 MHz
130 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
340 mV
340 mV
hFE Min
100
100
Power Dissipation
3 W
3 W

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. FZT853TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
IHS
FZT853 Series NPN 6 A 100 V SMT Silicon High Performance Transistor - SOT-223
Future Electronics
Bipolar Transistors (BJT); FZT853TA; DIODES; NPN; 4; 100 V; 6 A
Maritex
Trans GP BJT NPN 100V 6A 4-Pin (3+Tab) SOT-223 T/R
Verical
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR
Rebound Electronics
TRANSISTOR, NPN, REEL 1K; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:100V; Typ Gain Bandwidth ft:130MHz; Power Dissipation Pd:3W; DC Collector Current:6A; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; Case Style:SOT-223; Current Ic hFE:2A; Full Power Rating Temperature:25°C; Max Current Ic:6A; Max Current Ic Continuous a:6A; Max Power Dissipation Ptot:3W; Max Voltage Vce Sat:50mV; Min Hfe:100; No. of Transistors:1; Power Dissipation:3W; Pulsed Current Icm:10A; Reel Quantity:1000; SMD Marking:FZT853; Tape Width:12mm; Termination Type:SMD; Transistor Type:Bipolar; Voltage Vcbo:200V
Farnell

Bilder

reichelt
RS
TME
Future Electronics
reichelt
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated