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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date2003-06-20

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NZT605, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

NZT Series NPN 1000 mW 110 V 1.5 A Surface Mount Darlington Transistor - SOT-223

Future Electronics

Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

IHS

1.5V@ 1mA,1A NPN - Darlington 1W 10V 10nA 140V 110V 1.5A SOT-223-4 SMD mount 6.5mm*3.56mm*1.6mm

UnikeyIC

TRANSISTOR, NPN, 110V, 1.5A, SOT-223-4; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 110V; Transition Frequency ft: 150MHz; Power Dissipation Pd: 1W; DC Collector Current: 1.5A; DC Current Gain hFE: 200hFE; Tr

Farnell

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

NZT605.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: +512%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-223

MountSurface Mount

Number of Terminals4

Weight188 mg

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)140 V

Collector Emitter Breakdown Voltage110 V

Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)110 V

Current Rating1.5 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)10 V

hFE Min300

Max Breakdown Voltage110 V

Max Collector Current1.5 A

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation1 W

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PolarityNPN

Power Dissipation1 W

Transition Frequency150 MHz

Voltage Rating (DC)11 V

Dimensions

Height1.8 mm

Length6.5 mm

Width3.56 mm