Diodes Inc. FZT851TA

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Surface Mount
$ 0.385
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
AvnetFZT851TA1.0001K
15h
VericalFZT851TA6868
Arrow ElectronicsFZT851TA6868
DigiKey
3
FZT851CT-ND18.0861Cut Tape
TME
2
FZT851TA01
3h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet7 SeitenVor 6 Jahren
Datasheet5 SeitenVor 0 Jahren

Upverter

Diodes Inc SCT

RS (Formerly Allied Electronics)

Future Electronics

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
Diodes Inc.FZT851TA
Diodes Inc.FZT851
Price @ 1000
$ 0.385
$ 0.489
Stock
1,830,086
80,376
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-223
SOT-223
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
220 V
220 V
Max Collector Current
6 A
6 A
Transition Frequency
130 MHz
130 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
375 mV
375 mV
hFE Min
100
100
Power Dissipation
3 W
3 W

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Details
onsemiBCP55
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. FZT851TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Surface Mount
Avnet Silica
60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
ComSIT Distribution GmbH
60V 3W 100@2A,1V 6A NPN SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Dasenic
FZT851 Series NPN 6 A 60 V SMT Silicon High Performance Transistor - SOT-223
Future Electronics
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Verical
General Purpose Transistors NPN Ic=6A Vceo=60V hfe=100~300 P=3W SOT223
HQonline
TRANSISTOR, NPN, REEL 1K; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:60V; Current, Ic Continuous a Max:6A; Voltage, Vce Sat Max:50mV; Power Dissipation:3W; Hfe, Min:100; ft, Typ:130MHz; Case Style:SOT-223; ;RoHS Compliant: Yes
Newark
TRANSISTOR, NPN, REEL 1K; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: 130MHz; Power Dissipation Pd: 3W; DC Collector Current: 6A; DC Current Gain hFE: 200hFE; Transistor Case Sty
Farnell

Bilder

reichelt
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
iiiC
Future Electronics
reichelt
Micros
HQonline

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FZT-851TA