Diodes Inc. ZXTN2010GTA

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Surface Mount
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Technical Drawing5 SeitenVor 9 Jahren

Newark

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Diodes Inc SCT

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-06-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

Diodes Inc.ZX5T851GTA
ZX5T851G Series NPN 6 A 60V SMT Medium Power Low Saturation Transistor - SOT-223
Diodes Inc.DZT851-13
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Diodes Inc.FZT851TA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Surface Mount
onsemiBCP55
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
onsemiBCP54
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
onsemiNZT560A
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 75 MHz, 1 W, 3 A, 25

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. ZXTN2010GTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Surface Mount
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
ZXTN2010G Series NPN 6 A 60 V SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-223
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
General Purpose Transistors NPN Ic=6A Vceo=60V hfe=100~300 P=3W SOT223
TRANSISTOR, NPN, SOT-223; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: 130MHz; Power Dissipation Pd: 1.6W; DC Collector Current: 6A; DC Current Gain hFE: 200hFE; Transistor Case Style: SOT-223; No. of Pins: 4Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (15-Jan-2019); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 30mV; Current Ic Continuous a Max: 6A; Gain Bandwidth ft Typ: 130MHz; Hfe Min: 100; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device
Transistor, Npn, 80V, 6A, 1.6W, Sot-223; Transistor, Polaridad:Npn; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:80V; Frecuencia De Transición Ft:130Mhz; Disipación De Potencia Pd:1.6W; Corriente De Colector Dc:6A; Núm. De Contactos:4 |Diodes Inc. ZXTN2010GTA

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated