Diodes Inc. DMT8012LK3-13
$ 0.481
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMT8012LK3-13 | 1.779 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMT8012LK3-13 | 2.500 | 1 | |||||||||
| DigiKey | DMT8012LK3-13DICT-ND | 2.840 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMT8012LK3-13 | 0 | 2500 | 15h | ||||||||
| Avnet | DMT8012LK3-13 | 0 | 2500 | 4h |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-08-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMTH8012LK3-13
MOSFET N-CH 80V 50A TO252 / N-Channel 80 V 50A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount TO-252-3
InfineonIPD50N06S4L12ATMA2
Mosfet, N-Ch, 60V, 50A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD50N06S4L12ATMA2
InfineonIRFR4510TRPBF
TRANSISTOR, HEXFET POWER MOSFET, N-CHANNEL, 100V , 63A, 13.9MOHM MAX, D-PAK
InfineonIRFR2307ZTRLPBF
Mosfet Transistor, N Channel, 42 A, 75 V, 0.0128 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMT8012LK3-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 80V, 44A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMT8012LK3-13
Trans MOSFET N-CH 80V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Compliant Surface Mount 17 mΩ TO-252-3 1.949 nF 2.7 W 150 °C -55 °C
40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
DMT8012 Series, MOSFET 80V 20Vgss 80A
Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 80V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)44 A
Drain to Source Resistance17 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Input Capacitance1.949 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max17 mΩ
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