Diodes Inc. DMS3014SSS-13
$ 0.49
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 1034-DMS3014SSS-13DICT-ND | 25 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Farnell | DMS3014SSS-13 | 0 | 1 | 4h | ||||||||
| Microchip USA | DMS3014SSS-13 | 215 | 3500 | Tray | 7d | |||||||
| Win Source | WS-DMS3014SSS-13 | 16.300 | 80 | 5h | ||||||||
| ICPartonline | DMS3014SSS-13 | 21.925 | >1wk |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-08-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2019-08-05
LTD Date2020-02-05
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMS3015SSS-13
N-Channel 30 V 11.9 mOhm Surface Mount Schottky Diode Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF7807ZTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 11A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMS3014SSS-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 10.4A 8-Pin SO T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
MOSFET,+SCH,N CH,30V,11A,SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.55W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:10.4A; Power Dissipation Pd:1.55W; Voltage Vgs Max:12V
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time6.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance2.296 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.55 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.55 W
Rds On Max13 mΩ
Rise Time24.4 ns
Turn-Off Delay Time33.1 ns
Turn-On Delay Time5.5 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen