Diodes Inc. DMP1245UFCL-7
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Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMP1245UFCL-7 | 2.900 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMP1245UFCL-7DICT-ND | 1.789 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMP1245UFCL-7 | 0 | 1 | 9h | ||||||||
| Avnet | DMP1245UFCL-7 | 0 | 3K | 2d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMP1245UFCL-7 | 0 | 3K |
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Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN1150UFB-7B
Mosfet, N-Ch, 12V, 1.41A, X1-Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN1150UFB-7B
onsemiNUS5531MTR2G
Small Signal MOSFET 12V 5.7A 40mOhm Single P-Channel DFN8 with Single Charging BJT
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMP1245UFCL-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, P-Ch, 12V, 6.6A, X1-Dfn1616 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP1245UFCL-7
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 6.6 A, 0.025 ohm, X1-DFN1616, Surface Mount
Trans MOSFET P-CH 12V 6.6A Automotive 7-Pin DFN EP T/R
12V 6.6A 613mW 29mΩ@4.5V,4A 950mV@250uA P Channel X1-DFN1616-6 MOSFETs ROHS
MOSFETs 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 12V VDS, 8±V VGS
Diodes Inc SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
613mW(Ta) 8V 950mV@ 250¦ÌA 26.1nC@ 8 V 1P 12V 29m¦¸@ 4A,4.5V 6.6A 1.3574nF@10V 1.6mm*1.6mm*500¦Ìm
MOSFET, P-CH, 12V, 6.6A, X1-DFN1616;
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-12 V
Drain to Source Resistance29 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time217.64 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.3574 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max29 mΩ
Rise Time33.11 ns
Turn-Off Delay Time219.4 ns
Turn-On Delay Time15.2 ns
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen