Diodes Inc. DMN1150UFB-7B
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-02-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN2250UFB-7B
Mosfet, N-Ch, 20V, 1.35A, X1-Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2250UFB-7B
Diodes Inc.DMN2300UFB-7B
Single N-Channel 20 V 360 mOhm 0.89 nC 1.2 W Silicon SMT Mosfet - UFDFN-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN1150UFB-7B, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 12V, 1.41A, X1-Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN1150UFB-7B
Single N-Channel 12 V 210 mOhm 1.5 nC 0.5 W Silicon SMT Mosfet - UFDFN-3
Trans MOSFET N-CH 12V 1.41A 3-Pin X1-DFN T/R
12V 1.41A 500mW 150mΩ@4.5V,1A N Channel DFN-3(0.6x1) MOSFETs ROHS
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.41A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs 12V 1.00 x 0.60mm SMT X1-DFN1006-3 1.41A N-Channel
MOSFET, N-CH, 12V, 1.41A, X1-DFN1006;
MOSFET N-channel 12V 1.4A DFN1006-3
N-Channel Mosfet, 12V VDS, 6±V VGS
Diodes Inc SCT
N-CH 12V 1,41A 150mOhm at 4,5V
DiodesZetex NMOS, Vds=12 V, 1.4 A, X1-DFN1006, , 3
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.41 A
Drain to Source Breakdown Voltage12 V
Drain to Source Resistance210 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)6 V
Input Capacitance106 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max150 mΩ
Rise Time34.5 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time57 ns
Turn-On Delay Time4.1 ns
Dimensions
Height480 µm
Length1.08 mm
Width675 µm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen