onsemi NUS5531MTR2G
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-05-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2012-07-27
LTD Date2013-01-27
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMP1245UFCL-7
Mosfet, P-Ch, 12V, 6.6A, X1-Dfn1616 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP1245UFCL-7
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NUS5531MTR2G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal MOSFET 12V 5.7A 40mOhm Single P-Channel DFN8 with Single Charging BJT
General Purpose Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP P-Channel Transistor 2A 1.46W 17.5ns 12V
Trans MOSFET P-CH 12V 5.47A 8-Pin WDFN T/R
Main Switch Power MOSFET and Single Charging BJT
4400 mA 12 V P-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET/BJT SGL P-CH 12V 8-WDFN
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage180 mV
Continuous Drain Current (ID)4.4 A
Current Rating5.47 A
Drain to Source Breakdown Voltage12 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time17.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
hFE Min150
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.46 W
Rise Time17.5 ns
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating12 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen