Diodes Inc. DMP1022UFDE-7
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NRND
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMP1022UFDE-7 | 2.900 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | DMP1022UFDE-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | DMP1022UFDE-7 | 0 | 3K | 4h | ||||||||
| Farnell | DMP1022UFDE-7 | 2.900 | 5 | Cut Tape | 2h | |||||||
| element14 APAC | DMP1022UFDE-7 | 2.900 | 5 | Cut Tape | 15h |
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Stock
928,444
35,958,096
Authorized Distributors
5
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
12 V
Continuous Drain Current (ID)
9.1 A
9.5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
16 mΩ
15.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
8 V
Power Dissipation
2.03 W
-
Input Capacitance
2.953 nF
2.712 nF
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-01-10
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
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MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E / Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
VishaySIA447DJ-T1-GE3
VISHAY - SIA447DJ-T1-GE3 - MOSFET Transistor, P Channel, 12 A, -12 V, 0.011 ohm, -4.5 V, -400 mV
Diodes Inc.DMN1019USN-7
N-Channel 12 V 10 mO 50.6 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - SC-59 (SOT-23)
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMP1022UFDE-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, P-Ch, 12V, 9.1A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP1022UFDE-7
Trans MOSFET P-CH 12V 9.1A 6-Pin UDFN EP T/R / MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Single P-Channel 12 V 160 mOhm 38 nC 0.66 W Silicon SMT Mosfet - UDFN-6
MOSFET; P Channel; Trans; 12V 9.1A UDFN6 EP
Small Signal Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
660mW(Ta) 8V 800mV@ 250¦ÌA 42.6nC@ 5 V 1P 12V 16m¦¸@ 8.2A,4.5V 9.1A 2.953nF@4V DFN-2020-6,UDFN-20206 2mm*2mm*630¦Ìm
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.1 A
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time93 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance2.953 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.03 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements1
Power Dissipation2.03 W
Rds On Max16 mΩ
Rise Time28 ns
Turn-Off Delay Time117 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height580 µm
Length2.05 mm
Width2.05 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen