Diodes Inc. DMN1019UFDE-7
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Single N-Channel 60 V 4 Ohm 0.4 nC 430 mW Silicon SMT Mosfet - UFDFN-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN1019UFDE-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E / Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
N-Channel 12 V 10 mOhm Enhancement Mode Mosfet - U-DFN2020-6
Power MOSFET, N Channel, 12 V, 11 A, 0.007 ohm, U-DFN2020, Surface Mount
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: UDFN2020-6 Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 0.69 W
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN EP
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.1 A
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance2.425 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.17 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.17 W
Rds On Max10 mΩ
Rise Time22.2 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time57.6 ns
Turn-On Delay Time7.6 ns
Dimensions
Height580 µm
Length2.05 mm
Width2.05 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen