Diodes Inc. DMN6013LFG-7
$ 0.371
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN6013LFG-7 | 1.864 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMN6013LFG-7DICT-ND | 2.000 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN6013LFG-7 | 0 | 2K | 20h | ||||||||
| Avnet | DMN6013LFG-7 | 0 | 2K | 2d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN6013LFG-7 | 0 | 2K |
Bestandsverlauf
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Verwandte Teile
InfineonIPD50N06S4L12ATMA2
Mosfet, N-Ch, 60V, 50A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD50N06S4L12ATMA2
Diodes Inc.DMT6009LK3-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 57A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMT6009LK3-13
onsemiFDMS5361L-F085
75W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 44nC@ 10 V 1N 60V 15m¦¸@ 16.5A,10V 35A 1.98nF@25V QFN 6mm*5mm*1.1mm
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN6013LFG-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 60V, 45A, Powerdi 3333 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN6013LFG-7
DMN6013 Series 60 V 1 W 10.3 A N-Channel MOSFET PowerDI3333-8
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 10.3A I(D), 60V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
MOSFET, N-CH, 60V, 45A, POWERDI 3333;
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight72.007789 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.3 A
Drain to Source Resistance13 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.577 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max13 mΩ
Rise Time9.9 ns
Turn-Off Delay Time27.6 ns
Turn-On Delay Time6.2 ns
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