Diodes Inc. DMN2022UFDF-7
$ 0.2
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMN2022UFDF-7 | 3.000 | 3K | 14h | ||||||||
| Newark | DMN2022UFDF-7 | 2.900 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMN2022UFDF-7 | 57.000 | 3K | |||||||||
| TME | DMN2022UFDF-7 | 0 | 1 | 12h | ||||||||
| Future Electronics | DMN2022UFDF-7 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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3-Monats-Trend: -51.41%
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Verwandte Teile
onsemiMCH6448-TL-W
MOSFET N-CH 20V 8A SC88FL/MCPH6 / N-Channel 20 V 8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount SC-88FL/MCPH6
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN2022UFDF-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 20V, 7.9A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2022UFDF-7
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Surface Mount
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN / N-Channel 20 V 7.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 7.9A, U-DFN2020;
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 8±V VGS
Diodes Inc SCT
DiodesZetex NMOS, Vds=20 V, 9.4 A, U-DFN2020, , 6
MOSFET, N-CH, 20V, 7.9A, U-DFN2020;
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time239 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance907 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation660 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max22 mΩ
Rise Time87 ns
Turn-Off Delay Time632 ns
Turn-On Delay Time56 ns
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