Diodes Inc. DMC6040SSD-13
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Production
Preis und Lagerbestand
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMC6040SSD-13 | 1.669 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMC6040SSD-13 | 92.500 | 2500 | |||||||||
| Verical | DMC6040SSD-13 | 92.500 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | DMC6040SSD-13DICT-ND | 5.386 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMC6040SSD-13 | 1.434 | 1 | 9h |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen | |
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InfineonIRF7343TRPBF
Dual N/P-Channel 55 V 0.05/0.105 Ohm 24/26 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMC6040SSD-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-Pin SO T/R
COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET, N+P, 60V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
null 40mΩ@8A,10V 1.24W 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS
90004003,场效应管, MOSFET, N沟道 与 P沟道, 5.1A, 60V, 150度 C;
1.56W 20V 3V@ 250¦ÌA 20.8nC@ 10V 2N+2P 60V 40m¦¸@ 8A,10V 5.1A,3.1A 1.13nF@ 15V,1.03nF@ 30V SOIC-8 4.9mm*3.9mm*1.45mm
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N/P-Ch Fet 60V 40mOhm 6,5A SO-8
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time26.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.13 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.24 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max40 mΩ
Rise Time6.3 ns
Turn-Off Delay Time58.7 ns
Turn-On Delay Time3.7 ns
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