Diodes Inc. BSR33TA
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1,788,580
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Authorized Distributors
5
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-89
SOT-89
SOT-89
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
100 MHz
150 MHz
150 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
50
25
25
Power Dissipation
1 W
1 W
1 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
Verwandte Teile
ROHM2SB1260T100Q
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. BSR33TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
BSR33 Series PNP 80 V 1 A 1 W Power Transistor - SOT-89
80 V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin (3+Tab) SOT-89 T/R
500mV@ 50mA,500mA PNP 2.1W 5V 100nA 90V 80V 1A SOT-89-3 SMD mount 1.6mm(height)
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
TRANSISTOR, PNP, 80V, SOT-89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:250mV; Continuous Collector Current Ic Max:1A; Current Ic Continuous a Max:1A; Current Ic hFE:500mA; Gain Bandwidth ft Min:100MHz; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:50; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Ptot Max:1W; Pulsed Current Icm:2A; Termination Type:SMD; Voltage Vcbo:90V
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)90 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Continuous Collector Current-1 A
Current Rating-1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min50
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-80 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen