Diodes Inc. BCX53TA
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Price @ 1000
$ 0.103
$ 0.156
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Stock
1,755,762
611,566
611,566
Authorized Distributors
6
5
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-89
SOT-89
SOT-89
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
150 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
25
50
50
Power Dissipation
1 W
1 W
1 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
ROHM2SB1260T100Q
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. BCX53TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Surface Mount
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
500mV@ 50mA,500mA PNP 2W 5V 100nA 100V 80V 1A SOT-89-3 SMD mount 4.5mm*2.5mm*1.5mm
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min25
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency150 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen