Diodes Inc. BCX5316TA

Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Surface Mount
$ 0.08
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
TME
2
BCX5316TA01
4h
Newark
2
BCX5316TA01Cut Tape
Future Electronics
2
BCX5316TA01KTape & Reel
RS (Formerly Allied Electronics)BCX5316TA050Bulk
4h
AvnetBCX5316TA01K
17h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Diodes Inc. BCX5316TA herunter.

Newark

Datasheet7 SeitenVor 4 Jahren
Datasheet7 SeitenVor 10 Jahren

element14 APAC

TME

Diodes Inc SCT

Future Electronics

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
Diodes Inc.BCX5316TA
NexperiaBCX53-16,115
NexperiaBCX53-16,115
Price @ 1000
$ 0.08
$ 0.172
$ 0.172
Stock
1,043,754
3,702,589
3,702,589
Authorized Distributors
6
4
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-89
SOT
SOT
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
150 MHz
145 MHz
145 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
-500 mV
-500 mV
hFE Min
100
100
100
Power Dissipation
1 W
1.35 W
1.35 W

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)

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ROHM2SB1260T100Q
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. BCX5316TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Surface Mount
Avnet Silica
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Semicontronic
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R / TRANS PNP 80V 1A SOT-89
Win Source
BCX5316 Series 1 A 80 V SMT PNP Silicon Planar Medium Power Transistor - SOT-89
Future Electronics
General Purpose Transistors PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=40~250 P=2W SOT89
HQonline
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
Fly-Wing Technology
TRANSISTOR, PNP, 80V, SOT-89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency Typ ft:150MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:500mV; Continuous Collector Current Ic Max:1A; Current Ic Continuous a Max:1A; Current Ic hFE:150mA; Gain Bandwidth ft Min:150MHz; Gain Bandwidth ft Typ:150MHz; Hfe Min:100; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Ptot Max:1W; Pulsed Current Icm:1.5A; Termination Type:SMD; Voltage Vcbo:100V
element14 APAC

Bilder

Farnell
RS
element14 APAC
Farnell
iiiC
TME
Distrelec
Micros
Future Electronics
HQonline

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BCX5316TA.