Diodes Inc. BCX5616QTA
$ 0.085
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | BCX5616QTA | 5 | 5 | |||||||||
| TME | BCX5616QTA | 0 | 1 | 13h | ||||||||
| Newark | BCX5616QTA | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | BCX5616QTA | 0 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | BCX5616QTA | 0 | 1K | 1d |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
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CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-01-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
ROHM2SD1898T100Q
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SD1664T100R
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHM2SD1664T100Q
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. BCX5616QTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Surface Mount
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
80V 2W 100@150mA,2V 1A NPN SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
500mV@ 50mA,500mA NPN 2W 5V 100nA 100V 80V 1A SOT-89-3 4.5mm*2.5mm*1.5mm
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency150 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current1 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height1.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101 , IATF 16949
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen