ROHM 2SD1664T100Q

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
$ 0.103
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
CoreStaff
2
ST379332105851
23h
Future Electronics2SD1664T100Q01KTape & Reel
Farnell2SD1664T100Q01
6h
Microchip USA2SD1664T100Q1.9403KTray
7d
Win SourceWS-2SD1664T100Q160.800660
6h

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IHS

Datasheet4 SeitenVor 16 Jahren

Farnell

DigiKey

iiiC

Future Electronics

Bestandsverlauf

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2012-08-15
LTD Date2012-08-15

Verwandte Teile

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2DD1664P Series 32 V 1 A NPN Surface Mount Transistor - SOT-89-3
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.002A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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Diodes Inc.2DD1664R-13
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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ROHM2SD1766T100R
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
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onsemiKSD1621RTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 100mA 2V 100nA ICBO 500mW 150MHz
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onsemiKSC2883YTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 160 @ 500mA 2V 1.5A 1W 120MHz
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von ROHM 2SD1664T100Q, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
IHS
2SD1664 Series 32 V 1 A SMT NPN Medium Power Transistor - MPT-3
Future Electronics
Trans GP BJT NPN 32V 1A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Verical
TRANSISTOR SOT-89;BCE NPN; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:32V; Transition Frequency Typ ft:150MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:82; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:400mV; Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:150MHz; Hfe Min:120; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:500mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power Bipolar
element14 APAC
TRANSISTOR SOT-89;BCE NPN; Transistor Type:Medium Power; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:32V; Current Ic Continuous a Max:500mA; Voltage, Vce Sat Max:400mV; Power Dissipation:500mW; Min Hfe:120; ft, ;RoHS Compliant: Yes
Newark

Bilder

Farnell
Garrett
iiiC
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Rohm Semiconductor
  • ROHM CO LTD
  • RHOM
  • ROH
  • RHM
  • ROHM ELECTRONICS
  • ROM
  • ROMH
  • ROHS
  • ROHN
  • ROHM SEMI
  • ROHM Semicon
  • ROHM CORPORATION
  • ROHM CORP
  • MIYA
  • Rohm Company Limited
  • ROHM CO
  • ROHM ELEC
  • ROHM Semiconductors
  • ROHM ELECTRO
  • ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
  • ROHM COMPANY LTD
  • ROHM INC
  • ROHM/MISC
  • ROHM/NONE

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • 2SD1664 T100Q
  • 2SD1664-T100Q
  • 2SD1664T100 Q
  • 2SD1664T100/Q