ROHM 2SD1664T100Q

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
$ 0.144
Obsolete
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für ROHM 2SD1664T100Q herunter.

IHS

Datasheet4 SeitenVor 16 Jahren

Farnell

DigiKey

iiiC

Future Electronics

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+0.00%

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2012-08-15
LTD Date2012-08-15

Verwandte Teile

Diodes Inc.2DD1664P-13
2DD1664P Series 32 V 1 A NPN Surface Mount Transistor - SOT-89-3
Diodes Inc.2DD1766P-13
Small Signal Bipolar Transistor, 0.002A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.2DD1664R-13
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Beschreibungen

Beschreibungen von ROHM 2SD1664T100Q, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
2SD1664 Series 32 V 1 A SMT NPN Medium Power Transistor - MPT-3
NPN Transistor 400mV@50mA, 500mA 2W 5V 500nA 40V 32V 1A MPT-3 SMD 1.5mm H
Trans GP BJT NPN 32V 1A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
TRANSISTOR SOT-89;BCE NPN; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:32V; Transition Frequency Typ ft:150MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:82; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:400mV; Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:150MHz; Hfe Min:120; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:500mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power Bipolar
TRANSISTOR SOT-89;BCE NPN; Transistor Type:Medium Power; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:32V; Current Ic Continuous a Max:500mA; Voltage, Vce Sat Max:400mV; Power Dissipation:500mW; Min Hfe:120; ft, ;RoHS Compliant: Yes

Aliasnamen des Herstellers

ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Rohm Semiconductor
  • ROHM CO LTD
  • RHOM
  • ROH
  • RHM
  • ROHM ELECTRONICS
  • ROM
  • ROMH
  • ROHS
  • ROHN
  • ROHM SEMI
  • ROHM Semicon
  • ROHM CORPORATION
  • ROHM CORP
  • MIYA
  • Rohm Company Limited
  • ROHM CO
  • ROHM ELEC
  • ROHM Semiconductors
  • ROHM ELECTRO
  • ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
  • ROHM COMPANY LTD
  • ROHM INC
  • ROHM/MISC
  • ROHM/NONE

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • 2SD1664 T100Q
  • 2SD1664-T100Q
  • 2SD1664T100 Q
  • 2SD1664T100/Q