Vishay SIHD6N65E-GE3

Name: Vishay SIHD6N65E-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIHD6N65E-GE3

E Series N-Channel 650 V 78 W 0.6 O 48 nC Surface Mount Power Mosfet - DPAK

$ 0.899

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey		SIHD6N65E-GE3-ND	2,752	1	Tube	2.500	2.500	1.142	0.869	0.680
TTI		SIHD6N65E-GE3	1,000	50	Tube			0.736	0.714	0.700	19h
TME	2	SIHD6N65E-GE3	0	1		2.140	1.120	0.950	0.930	0.930	16h
Newark		SIHD6N65E-GE3	0	3K	Tape & Reel					0.915
Future Electronics		SIHD6N65E-GE3	0	20	Tube			1.090	1.040	0.980

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IHS

Datasheet10 页6 年前

Newark

Farnell

Future Electronics

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-2.24%

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供应链

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SIHD6N65E-GE3 的描述。

E Series N-Channel 650 V 78 W 0.6 O 48 nC Surface Mount Power Mosfet - DPAK

Future Electronics

POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N-CH, 650V, 7A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:78W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited

Farnell