Vishay SI8816EDB-T2-E1

Name: Vishay SI8816EDB-T2-E1
Brand: Vishay
SKU: SI8816EDB-T2-E1

30V 1.5A 500mW 109m´Î@10V1A 1.4V@250Ã×A N Channel BGA-4 MOSFETs ROHS

$ 0.147

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	2	SI8816EDB-T2-E1	6,000	3K						0.108
Arrow Electronics	2	SI8816EDB-T2-E1	271	1		0.312	0.190	0.119	0.109	0.109
DigiKey	3	SI8816EDB-T2-E1CT-ND	43,283	1	Cut Tape	0.690	0.427	0.273	0.186	0.186
TME	2	SI8816EDB-T2-E1	0	3K						0.159	19h
TTI		SI8816EDB-T2-E1	0	3K	Tape & Reel					0.109	1d

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Farnell

Datasheet7 页10 年前

Datasheet8 页12 年前

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Newark

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-05-08

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SI8816EDB-T2-E1 的描述。

30V 1.5A 500mW 109m´Î@10V1A 1.4V@250Ã×A N Channel BGA-4 MOSFETs ROHS

Dasenic

N-Ch Mosfet Mfoot 0.8X0.8 20V 116Mohm @ 4.5V Rohs Compliant: No

Newark

N-Channel 30 V 0.109 Ohm 2.4 nC Power Mosfet

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 4-Pin Micro Foot T/R

Verical

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

500mW(Ta) 12V 1.4V@ 250¦ÌA 8nC@ 10 V 1N 30V 109m¦¸@ 1A,10V 195pF@15V MICROFOOT-4 1.6mm*1.6mm*650¦Ìm

UnikeyIC

场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 2.3A, MFOOT;

element14 APAC

MOSFET, N-CH, 20V, 2.3A, MFOOT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.087ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:900mW; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:MICRO FOOT; No. of Pins:4; MSL:MSL 1 - Unlimited

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