Diodes Inc. DMN3067LW-7

Name: Diodes Inc. DMN3067LW-7
Brand: Diodes Inc.
SKU: DMN3067LW-7

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 2.6 A, 0.067 ohm, SOT-323, Surface Mount

$ 0.119

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	DMN3067LW-7	21,000	3K						0.054	2d
Newark	3	DMN3067LW-7	3	1	Cut Tape	0.459	0.294	0.196	0.153	0.153
TME	2	DMN3067LW-7	565	1		0.390	0.320	0.187	0.105	0.075	21h
DigiKey	3	DMN3067LW-7DICT-ND	8,551	1	Cut Tape	0.460	0.283	0.179	0.119	0.119
Future Electronics		DMN3067LW-7	0	3K	Tape & Reel					0.104

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IHS

Datasheet6 页12 年前

Diodes Inc SCT

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供应链

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2014-04-03

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Diodes Inc. DMN3067LW-7 的描述。

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 2.6 A, 0.067 ohm, SOT-323, Surface Mount

Avnet Silica

Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R

Future Electronics

30V 2.6A 67mΩ@4.5V,2.5A 500mW 1.5V@250uA N Channel SOT-323 MOSFETs ROHS

HQonline

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 12±V VGS

Diodes Inc SCT

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

DiodesZetex NMOS, Vds=30 V, 2.6 A, SOT-323, , 3

UnikeyIC

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:2.6A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:4.5V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.5V; Power Dissipation:500mW; No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: No

Newark