Vishay SI1902CDL-T1-GE3

Name: Vishay SI1902CDL-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SI1902CDL-T1-GE3

Transistor: 2xN-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; 0.235ohm; 420mW; -55+150 deg.C; SMD; SC70-6

$ 0.18

Production

制造商页面数据表

价格与库存

授权分销商

未经授权的库存分销商

非授权经销商

查看所有价格优惠

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	SI1902CDL-T1-GE3	5,544	5	Cut Tape		0.470	0.301	0.301	0.301
Verical		SI1902CDL-T1-GE3	340	290					0.182	0.172
Arrow Electronics		SI1902CDL-T1-GE3	36	1		0.290	0.153	0.072	0.072	0.072
TME	2	SI1902CDL-T1-GE3	340	1		0.434*	0.336*	0.230*	0.172*	0.149*	3h
DigiKey	2	SI1902CDL-T1-GE3CT-ND	408	1	Cut Tape	0.670	0.414	0.265	0.180	0.180

数据表和文档

下载 Vishay SI1902CDL-T1-GE3 的数据表和制造商文档。

Newark

Datasheet7 页4 年前

Upverter

RS (Formerly Allied Electronics)

Future Electronics

库存历史记录

3 个月趋势:

+169%

CAD 模型

从我们值得信赖的合作伙伴处下载 Vishay SI1902CDL-T1-GE3 符号、封装和 3D STEP 模型。

来源	eCAD	mCAD	文件
EE Concierge	符号封装

下载 CAD 模型时，合作伙伴网站将在新标签页中打开

从 Octopart 下载 CAD 模型，即表示您同意我们的条款和条件以及隐私政策。

供应链

Country of OriginUSA

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-11-22

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Vishay SI1902CDL-T1-GE3 的描述。

Transistor: 2xN-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; 0.235ohm; 420mW; -55+150 deg.C; SMD; SC70-6

Maritex

Dual N-Channel 20 V 0.235 Ohm 0.42 W Surface Mount Mosfet - SC-70-6

Future Electronics

MOSFET, DUAL, N-CH, 20V, 1.1A, SOT-363-6; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:1.1A; Source Voltage Vds:20V; On

element14 APAC

Channel Type:Dual N Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:20V; Drain Source Voltage Vds P Channel:-; Continuous Drain Current Id N Channel:1.1A; Continuous Drain Current Id P Channel:-; No. of Pins:6Pins; Product Range:- RoHS Compliant: Yes

Newark