STMicroelectronics STB42N60M2-EP

Name: STMicroelectronics STB42N60M2-EP
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB42N60M2-EP

N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK package

$ 2.692

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		STB42N60M2-EP	904	1	Cut Tape	7.410	5.610	4.430	4.210	4.210
Verical	3	STB42N60M2-EP	1,000	1K					2.172	2.172
Arrow Electronics	3	STB42N60M2-EP	880	1		6.058	6.058	6.058	6.058	6.058
DigiKey	2	497-15896-1-ND	258	1	Cut Tape	6.980	4.696	3.402	3.200	3.200
TME	2	STB42N60M2-EP	0	1K					3.892*	3.892*	7h

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Future Electronics

Datasheet20 页11 年前

Newark

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供应链

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2015-01-21

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 STMicroelectronics STB42N60M2-EP 的描述。

N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK package

STMicroelectronics

250W(Tc) 25V 4.75V@ 250¦ÌA 55nC@ 10 V 1N 600V 87m¦¸@ 17A,10V 34A 2.37nF@100V D2PAK,TO-263

UnikeyIC

Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 600V, 0.087ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Semicontronic

MOSFET, N-CH, 600V, 34A, TO-263; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:34A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V RoHS Compliant: Yes

Newark