STMicroelectronics STB40N60M2

Name: STMicroelectronics STB40N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB40N60M2

N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

$ 2.545

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		STB40N60M2	394	1	Cut Tape	6.920	4.990	3.880	3.680	3.680
Arrow Electronics	2	STB40N60M2	379	1		5.494	3.854	2.845	2.845	2.845
Verical	2	STB40N60M2	379	1		5.494	3.854	2.845	2.433	2.433
TME	2	STB40N60M2	867	1		5.600	3.790	3.180	3.180	3.180	22h
DigiKey	3	497-14963-1-ND	741	1	Cut Tape	6.300	4.218	3.036	2.792	2.792

数据表和文档

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Future Electronics

Datasheet21 页13 年前

Datasheet23 页13 年前

STMicroelectronics

TME

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供应链

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-07-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 STMicroelectronics STB40N60M2 的描述。

N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STMicroelectronics

N-Channel 600 V 88 mO 250 W Surface Mount MDmesh II Plus Mosfet - D2PAK

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 600V, 0.088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Semicontronic

MOSFET, N-CH, 600V, 34A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 34A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.078ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Powe

Farnell