STMicroelectronics STB13N60M2

Name: STMicroelectronics STB13N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB13N60M2

N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

$ 1.016

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	STB13N60M2	408	1	Cut Tape	3.260	2.250	1.670	1.450	1.450
Verical		STB13N60M2	1,000	1K					0.958	0.905
Arrow Electronics		STB13N60M2	1,000	1K					0.959	0.959
Future Electronics		STB13N60M2	1,000	1K	Tape & Reel				1.170	1.140
TME	2	STB13N60M2	963	1		2.750	1.840	1.360	1.330	1.330	12h

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STMicroelectronics

Datasheet21 页13 年前

Future Electronics

TME

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供应链

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-06-28

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

描述

由其分销商提供的 STMicroelectronics STB13N60M2 的描述。

N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STMicroelectronics

STB13N60M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 11 A, 650 V, 3-PIN D2PAK

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

MOSFET, N-CH, 600V, 11A, 110W, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.35ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V;

element14 APAC