ROHM RQ3G100GNTB

Name: ROHM RQ3G100GNTB
Brand: ROHM
SKU: RQ3G100GNTB

Mosfet Transistor, N Channel, 10 A, 40 V, 0.011 Ohm, 10 V, 2.5 V Rohs Compliant: Yes

$ 0.212

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
CoreStaff	2	ST60048007	2,980	1		0.321	0.321	0.259	0.203	0.197	7h
DigiKey	3	RQ3G100GNTBCT-ND	48,668	1	Cut Tape	0.860	0.533	0.345	0.237	0.237
Verical	3	RQ3G100GNTB	1,750	12				0.293	0.207	0.139
Arrow Electronics		RQ3G100GNTB	1,750	1		0.577	0.413	0.293	0.207	0.207
TME	2	RQ3G100GNTB	0	1		0.778	0.485	0.311	0.216	0.205	2h

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Newark

Datasheet13 页8 年前

element14 APAC

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2014-03-31

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 ROHM RQ3G100GNTB 的描述。

Mosfet Transistor, N Channel, 10 A, 40 V, 0.011 Ohm, 10 V, 2.5 V Rohs Compliant: Yes

Newark

Trans MOSFET N-CH 40V ±10A 8-Pin HSMT Embossed Tape and Reel

Avnet Japan

2W(Ta) 20V 2.5V@1mA 8.4nC@ 10 V 1N 40V 14.3m¦¸@ 10A,10V 10A 615pF@20V 900¦Ìm

Unikeyic (ICkey)

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 40V, 0.0183ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET Nch 40V 10A Power MOSFET

Future Electronics

MOSFET, N-CH, 40V, 10A, HSMT-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 10A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.011ohm; Rd; Available until stocks are exhausted Alternative available

Farnell