onsemi FDC8886

Name: onsemi FDC8886
Brand: onsemi
SKU: FDC8886

N-Channel Power Trench® MOSFET, 30 V, 6.5 A, 23 mΩ

$ 0.181

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		FDC8886	27,000	6K							22h
Rochester Electronics	2	FDC8886	94,596					0.224	0.186	0.166	20h
Arrow Electronics	2	FDC8886	1,570	1		0.154	0.154	0.154	0.154	0.154
Verical	2	FDC8886	1,570	38				0.154	0.154	0.154
DigiKey	3	FDC8886CT-ND	19,679	1	Cut Tape	0.930	0.578	0.375	0.259	0.192

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Technical Drawing1 页5 年前

Master Electronics

IHS

onsemi

Fairchild Semiconductor

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供应链

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

描述

由其分销商提供的 onsemi FDC8886 的描述。

N-Channel Power Trench® MOSFET, 30 V, 6.5 A, 23 mΩ

onsemi

Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R

Verical

Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA

IHS

Single Pt8 N 30/20V Ssot6 |Onsemi FDC8886

Newark

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Bettlink

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on) switching performance.

Fairchild Semiconductor