Infineon IRFR3707ZTRPBF

Name: Infineon IRFR3707ZTRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR3707ZTRPBF

Single N-Channel 30 V 9.5 mOhm 9.6 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK

$ 0.249

Obsolete

制造商页面数据表

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IRFR3707ZTRPBF	38,310	1		0.249	0.249	0.249	0.249	0.249
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFR3707ZTRPBF	0	20	Bulk			1.080	1.030	1.030	1d
Farnell	2	IRFR3707ZTRPBF	0	1	Cut Tape	0.856*	0.623*	0.480*	0.357*	0.357*	8h
Verical		IRFR3707ZTRPBF	38,310	5			0.249	0.249	0.249	0.249
Win Source		WS-IRFR3707ZTRPBF	9,900	90				0.562	0.374	0.374	8h

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IHS

Datasheet11 页18 年前

Newark

Farnell

iiiC

DigiKey

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-04-03

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

描述

由其分销商提供的 Infineon IRFR3707ZTRPBF 的描述。

Single N-Channel 30 V 9.5 mOhm 9.6 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK

Future Electronics

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance

Infineon

N CHANNEL MOSFET, 30V, 56A, D-PAK; Trans; N CHANNEL MOSFET, 30V, 56A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:56A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V

element14 APAC