Infineon IRF3717PBF

Name: Infineon IRF3717PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF3717PBF

Single N-Channel 20 V 4.4 mOhm 22 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

$ 0.88

Obsolete

制造商页面数据表

价格与库存

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF3717PBF	0	5	Bulk		1.000	0.880	0.880	0.880	19h
Farnell	IRF3717PBF	0	5			0.402*	0.330*	0.330*	0.330*	6h
Win Source	WS-IRF3717PBF	900	75				0.682	0.455	0.455	7h
Worldway Electronics	IRF3717PBF	14,191	7	Tube		0.199	0.195	0.188	0.184	1d
ICPartonline	IRF3717PBF	20,184			0.624	0.592	0.561	0.530	0.499	>1wk

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Newark

Datasheet10 页21 年前

IHS

iiiC

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-02-20

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

描述

由其分销商提供的 Infineon IRF3717PBF 的描述。

Single N-Channel 20 V 4.4 mOhm 22 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC

Avnet

MOSFET, 20V, 20A, 4.4 MOHM, 22 NC QG, SO-8

RS (Formerly Allied Electronics)

N-CH 20V 20A 4,4mOhm SO8 RoHSconf

Rutronik

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 20V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

IHS

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:20A; On Resistance, Rds(on):4.4mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SO-8 ;RoHS Compliant: Yes

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