Infineon IRF8252PBF

Name: Infineon IRF8252PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF8252PBF

2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 100¦ÌA 53nC@ 4.5 V 1N 25V 2.7m¦¸@ 25A, 10V 25A 5.305nF@13V SOIC-8

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Avnet	IRF8252PBF	975	3334						1.931	23h
Flip Electronics	IRF8252PBF	975								7d
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF8252PBF	0	3800	Bulk					1.980	13h
Farnell	IRF8252PBF	0	1		0.889*	0.889*	0.667*	0.667*	0.667*	7h
Win Source	WS-IRF8252PBF	7,900	30					0.205	0.172	22h

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IHS

Datasheet9 页17 年前

Datasheet10 页17 年前

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-07-07

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2016-12-02

LTD Date2017-09-02

描述

由其分销商提供的 Infineon IRF8252PBF 的描述。

2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 100¦ÌA 53nC@ 4.5 V 1N 25V 2.7m¦¸@ 25A,10V 25A 5.305nF@13V SOIC-8

Unikeyic (ICkey)

Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin SOIC Tube

Verical

25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free SO-8 package designed for high efficiency DC-DC converters, SO8, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 25V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8

Jak Electronics

MOSFET, N-CH, 25V, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:25A; Package / Case:SOIC-8; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:200A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:1.8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.35V; Voltage Vgs th Min:1.35V

element14 APAC