Infineon IRF3710LPBF

Name: Infineon IRF3710LPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF3710LPBF

Single N-Channel 100 V 23 mOhm 130 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262

$ 1.397

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	IRF3710LPBF	46					1.040	0.863	0.770	8h
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF3710LPBF	0	5	Bulk		2.190	1.930	1.930	1.930	1d
Farnell	IRF3710LPBF	0	1		2.277*	2.059*	2.059*	2.059*	2.059*	7h
Microchip USA	IRF3710L	308	600	Tube				2.610	2.610	2d
Win Source	WS-IRF3710LPBF	6,340	60				1.010	0.673	0.673	9h

数据表和文档

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IHS

Datasheet11 页12 年前

Datasheet10 页12 年前

Datasheet10 页16 年前

TME

Newark

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1997-05-20

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2020-10-31

LTD Date2021-04-30

描述

由其分销商提供的 Infineon IRF3710LPBF 的描述。

Single N-Channel 100 V 23 mOhm 130 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262

Future Electronics

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS

Infineon SCT

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA

ComSIT Distribution GmbH

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:57A; On Resistance, Rds(on):23mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-262 ;RoHS Compliant: Yes

Newark