Infineon IPB049NE7N3GATMA1

Name: Infineon IPB049NE7N3GATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPB049NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263

$ 1.36

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		IPB049NE7N3GATMA1	9,921					1.610	1.340	1.190	3h
DigiKey		IPB049NE7N3GATMA1CT-ND	349	1	Cut Tape	3.880	2.537	1.773	1.773	1.773
Farnell	2	IPB049NE7N3GATMA1	0	1	Cut Tape	4.214*	3.377*	2.701*	2.701*	2.701*	3h
Mouser		726-IPB049NE7N3G	129	1	Tape & Reel	3.660	2.390	1.870	1.360	1.360
Verical	2	IPB049NE7N3GATMA1	1,000	187					1.675	1.488

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IHS

Datasheet9 页15 年前

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供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2009-05-25

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2023-03-31

LTD Date2023-09-30

描述

由其分销商提供的 Infineon IPB049NE7N3GATMA1 的描述。

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0044ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.1V; P

element14 APAC

The 75V OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications. Based on the leading 80V technology these 75V products feature simultaneously lowest on-state resistances and superior switching performance.

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