EPC EPC2012C

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide...
$ 1.5

库存历史记录

3 个月趋势:
Restocked

CAD 模型

从我们值得信赖的合作伙伴处下载 EPC EPC2012C 符号、封装和 3D STEP 模型。

来源eCADmCAD文件
SnapEDA
符号封装
下载
下载 CAD 模型时,合作伙伴网站将在新标签页中打开
从 Octopart 下载 CAD 模型,即表示您同意我们的条款和条件以及隐私政策

相关零件

InfineonIRF7820TRPBF
Single N-Channel 200 V 78 mOhm 44 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
onsemiFDS2672
N-Channel UltraFET Trench® MOSFET 200V, 3.9A, 70mΩ
onsemiFQD7P20TM
P-Channel Power MOSFET, QFET®, -200 V, -5.7 A, 690 mΩ, DPAK
Single N-Channel 200 V 55 mOhm 36 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 200 V, 5.5 A, 750 mΩ, DPAK
InfineonIRF7451TRPBF
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.09ohm, Id=3.6A) | MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC

描述

由其分销商提供的 EPC EPC2012C 的描述。

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE

制造商别名

EPC 在全球拥有多个品牌,分销商可将其用作替代名称。EPC 也可称为以下名称:

  • EPC Space LLC
  • EPC Space
  • EPC (VA)
  • EFFICIENT POWER CONVERSION
  • EPC Semiconductor